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STGE50NC60WD中文资料

STGE50NC60WD图片

STGE50NC60WD外观图

  • 大小:287.1KB
  • 厂家:STMicroelectronics
  • 描述: IGBT, N 600V 50A ISOTOP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:100A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Power Dissipation Pd:260W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:ISOTOP; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Ic Continuous a Max:50A; Package / Case:ISOTOP; Power Dissipation Max:260W; Power Dissipation Pd:260W; Pulsed Current Icm:250A; Rise Time:17ns; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
  • 其它有关文件:STGE50NC60WD View All Specifications
  • 标准包装:10
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:IGBT
  • 系列:PowerMESH™
  • IGBT 类型:-
  • 配置:单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):2.6V @ 15V,40A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100A
  • 电流 - 集电极截止(最大):500µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies):4.7nF @ 25V
  • 功率 - 最大:260W
  • 输入:标准型
  • NTC 热敏电阻:无
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:ISOTOP
  • 供应商设备封装:ISOTOP
  • 其它名称:497-8781-5

STGE50NC60WD供应商

更新时间:2023-01-15 00:19:47
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